題目：層狀二維半導體材料及其高溫電子器件應用
報告人：劉鍇 長(cháng)聘副教授 （清華大學(xué)）
時(shí)間：4月2日（周二）14:30-15:30
地點(diǎn)：李薰樓468房間
摘要：
伴隨著(zhù)半導體產(chǎn)業(yè)開(kāi)啟亞10 nm節點(diǎn)時(shí)代，現代信息技術(shù)的高速發(fā)展使納米電子材料和器件既要滿(mǎn)足多功能、高性能的應用需求，也面臨復雜的使用環(huán)境。一方面，材料和器件的高度集成化使得自發(fā)熱愈加嚴重；另一方面，在汽車(chē)電子、航空航天等關(guān)鍵應用領(lǐng)域，材料和器件常常需要工作在>125℃的高溫環(huán)境中。因此，發(fā)展高效能、低能耗的納米材料和結構，提升材料和器件的高溫性能，具有十分重要的意義，業(yè)已成為國際基礎研究前沿和技術(shù)競爭制高點(diǎn)。層狀二維半導體材料通過(guò)范德華界面作用形成，具有原子級厚度、無(wú)懸掛鍵的表面和寬范圍的帶隙，有望突破物理極限產(chǎn)生變革性的器件原理和技術(shù)。在本報告中，報告人將介紹近年來(lái)在基于MoS2、MoTe2等二維材料的高效能同質(zhì)/異質(zhì)結構、范德華界面結構高溫演化規律、新原理高溫納米電子器件等方面的研究工作。通過(guò)這些研究，有望為新型納米電子材料和器件的研發(fā)探索出新的思路。
報告人簡(jiǎn)介
劉鍇，清華大學(xué)材料學(xué)院長(cháng)聘副教授，博士生導師。在清華大學(xué)物理系獲博士學(xué)位，先后在清華大學(xué)和勞倫斯-伯克利國家實(shí)驗室從事博士后研究。曾入選海外高層次青年項目。近年來(lái)致力于二維原子晶體、碳納米管等納米材料研究和智能電子器件應用探索。至今在Science、Nat. Electron.、Nat. Commun.、Sci. Adv.、Adv. Mater.等期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文130余篇，總被引10000余次。授權美國和中國發(fā)明專(zhuān)利50余項。獲中國材料研究學(xué)會(huì )科學(xué)技術(shù)獎一等獎（第1完成人）、國際材料研究學(xué)會(huì )聯(lián)盟前沿材料青年科學(xué)家獎、全國百篇優(yōu)秀博士學(xué)位論文等獎勵。擔任中國材料研究學(xué)會(huì )青年工作委員會(huì )理事、納米材料與器件分會(huì )理事，《宇航材料工藝》編委，Nano Res.、Rare Metals、SmartMat等期刊青年編委。
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